型号:STW32N65M5 | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-247-3 | 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO-247 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 650V 24A TO-247 |
系列 | MDmesh™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 24A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 119 毫欧 @ 12A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 72nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3320pF @ 100V |
功率_最大 | 150W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商设备封装 | TO-247-3 |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
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- TC1303C-VP0EUNTR
PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式
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10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 10MSOP
- SR151A820GAA
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径向
CAP CER 82PF 100V 2% RADIAL
- MT18KSF51272PDZ-1G4M1
存储器 - 模块
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MODULE DDR3 SDRAM 4GB 240RDIMM
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